Los avances en la tecnología de filtro inductivo de núcleo facilitan la actualización de eficiencia energética de los dispositivos electrónicos

2025,07,27

Bajo la tendencia de los dispositivos electrónicos integrados y de alta frecuencia, el "inductor de filtro", como componente central de la gestión de energía y el procesamiento de señales, recientemente ha sido testigo de nuevos avances tecnológicos. El principio central es suprimir el cambio repentino de corriente a través de las características electromagnéticas de la bobina inductiva y optimizar la estabilidad del circuito.

Principios y aplicaciones técnicas

La característica de pasar a través de un inductor

Cuando la corriente fluye a través de un inductor, la bobina genera una fuerza electromotriz autoinducida, lo que dificulta el cambio instantáneo de la corriente. Esta característica "inercial" puede suavizar efectivamente las corrientes pulsantes y filtrar el ruido de alta frecuencia. Por ejemplo, en una fuente de alimentación de conmutación, los inductores y condensadores forman un filtro LC para convertir la corriente continua pulsada en una salida suave.

Diseño de parámetros de inductancia de filtro

La selección del valor de inductancia afecta directamente el efecto de filtrado:

Valor de baja inductancia: adecuado para la supresión de ruido de alta frecuencia, pero puede reducir la capacidad de filtrado de baja frecuencia;

Valor de alta inductancia: mejora el filtrado de baja frecuencia, pero aumenta el volumen y la pérdida.

Los ingenieros deben igualar los parámetros con precisión en función de la respuesta de frecuencia del equipo (por ejemplo, las estaciones base 5G deben lidiar con interferencias por encima de 3GHz)

Tendencias y desafíos de la industria

En la actualidad, los filtros inductivos nacionales aún enfrentan desafíos en el campo de alta gama: cuello de botella de material: las aplicaciones de alta frecuencia requieren núcleos magnéticos de alto rendimiento, como núcleos nanocristalinos y de ferrita, pero la tasa de producción nacional es inferior al 10%.

Requisitos de integración: el módulo de RF del teléfono móvil exige la integración de la miniaturización de inductores, PA (amplificadores de potencia) y circuitos de conmutación, que plantea una barrera técnica relativamente alta.

Perspectiva futura

Con la popularización de los semiconductores de tercera generación (GaN, SIC), la demanda de inductores resistentes a alta frecuencia y alta temperatura se ha disparado. Las empresas nacionales están rompiendo las limitaciones del proceso a través del modelo IDM (integración de fabricación de diseño). Se espera que para 2025, la electrónica automotriz y los centros de datos se conviertan en el mercado incremental para los filtros inductivos

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Autor:

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